Ổ Cứng (SSD - HDD)

- Hãng sản xuất: Seagate

- Ổ SSD tốc độ đọc ghi lên đến 400MB/s

- Dung lượng: 500GB

- Kết nối: USB 3.0

- Kích thước: 1.8"

- Xuất xứ: Thái Lan

- Hãng sản xuất: Seagate

- Ổ SSD tốc độ đọc ghi lên đến 400MB/s

- Dung lượng: 500GB

- Kết nối: USB 3.0

- Kích thước: 1.8"

- Xuất xứ: Thái Lan

- Hãng sx: Seagate

- Dung lượng: 10TB

- Kích thước: 3.5"

- Kết nối: USB 3.0 tốc độ cao, có 2 cổng USB 3.0 mở rộng giúp sạc pin cho thité bị di động

- Xuất xứ: Thái Lan

- Hãng sx: Seagate

- Dung lượng: 6TB

- Kích thước: 3.5"

- Kết nối: USB 3.0 tốc độ cao, có 2 cổng USB 3.0 mở rộng giúp sạc pin cho thité bị di động

- Xuất xứ: Thái Lan

- Hãng sx: Seagate

- Dung lượng: 4TB

- Kích thước: 3.5"

- Kết nối: USB 3.0 tốc độ cao, có 2 cổng USB 3.0 mở rộng giúp sạc pin cho thité bị di động

- Xuất xứ: Thái Lan

- Hãng sản xuất: Seagate 
- Dung lượng: 2TB 
- Chuẩn giao tiếp: USB 3.0 
- Kích thước: 2.5''

- Hãng sản xuất: Seagate

- Kết nối: USB 3.0 tốc độ cao

- Dung lượng: 4TB

- Kích thước: 2.5"

- Xuất xứ: Thái Lan

- Dung lượng : 120GB

- GIao diện : M.2 PCIe NVME 2280

- Đọc/ghi ngẫu nhiên: 100/80k IOPS

- Đọc tuần tự : 1900 MB/s

- Ghi tuần tự : 650 MB/s

- NAND Flash : TLC 3D

• Thương hiệu:Samsung
• Model:MZ-7LN1280
• Bảo hành:3 năm
• Dung lượng:128 GB
• Form Factor:2.5 Inch
• Giao tiếp:SATA
• Giao thức:AHCI
• NAND Flash:TLC
• Hiệu suất
• Đọc tuần tự:540 MB/s
• Ghi tuần tự:500 MB/s

- Thương hiệu:  SamSung 860 PRO
- Dung lượng/ chuẩn giao tiếp:  1TB / 2.5" SATA III
- Chip:  MLC NAND
- Tốc độ đọc tối đa: 560MB/s 
- Tốc độ ghi tối đa : 530MB/s 
- Chỉ số IOPS:  Up to 100K/90K IOPS 
- Chỉ số TBW:  1200TBW

- Thương hiệu: SamSung 860 QVO
- Dung lượng/ chuẩn giao tiếp:  2TB / 2.5" SATA III
- Chip:  4 bit MLC NAND
- Tốc độ đọc tối đa: 550MB/s 
- Tốc độ ghi tối đa : 520MB/s 
- Chỉ số IOPS:  Up to 96K/89K IOPS 
- Chỉ số TBW:  720TBW

- Thương hiệu:  SamSung 860 QVO
- Dung lượng/ chuẩn giao tiếp:  1TB / 2.5" SATA III
- Chip:  4 bit MLC NAND
- Tốc độ đọc tối đa: 550MB/s 
- Tốc độ ghi tối đa : 520MB/s 
- Chỉ số IOPS:  Up to 96K/89K IOPS 
- Chỉ số TBW:  360TBW

- Thương hiêu: SamSung 860 EVO

- Dung lượng: 4TB
- Kích thước/ Chuẩn giao tiếp:  2.5" SATA III

- Chip 3 bit MLC NAND

- Tốc độ đọc tối đa 550MB/s

- Tốc độ ghi tối đa: 520MB/s

- Chỉ số IOPS:  Up to 98K/90K IOPS

- Chỉ số Tera Byte Written: 2400TBW

- Thương hiêu: SamSung 860 EVO

- Dung lượng: 2TB
- Kích thước/ Chuẩn giao tiếp:  2.5" SATA III

- Chip 3 bit MLC NAND

- Tốc độ đọc tối đa 550MB/s

- Tốc độ ghi tối đa: 520MB/s

- Chỉ số IOPS:  Up to 98K/90K IOPS

- Chỉ số Tera Byte Written: 1200TBW

HP S700 SSD M.2 2280 - 500GB
- Tốc độ đọc tối đa (MB/s) : 560
-Tốc độ ghi tối đa (MB/s) : 510
- Max. Random Read (IOPS) : 85K

- Max .Random Write (IOPS): 85K
- Power Consumption (Active) (W): 1.63
- Power Consumption (Idle) (W): 0.33

- Form Factor: 2.5 Inch
- Giao tiếp: SATA
- Giao thức: AHCI
- NAND Flash: TLC
- Tuổi thọ đọc ghi: 145 TBW
- Đọc tuần tự: 565 MB/s
- Ghi tuần tự: 520 MB/s
- Đọc ngẫu nhiên (4KB, QD32): 55.000 IOPS
- Ghi ngẫu nhiên (4KB, QD32): 80.000 IOPS

- Dung lượng: 500 GB
- Form Factor: 2.5 Inch
- Giao tiếp: SATA
- Giao thức: AHCI
- NAND Flash: TLC
- Tuổi thọ đọc ghi: 145 TBW
- Đọc tuần tự: 560 MB/s
- Ghi tuần tự: 515 MB/s
- Đọc ngẫu nhiên (4KB, QD32): 55.000 IOPS
- Ghi ngẫu nhiên (4KB, QD32): 80.000 IOPS

- Dung lượng : 120GB

- GIao diện : M.2 PCIe NVME 2280

- Đọc/ghi ngẫu nhiên: 100/80k IOPS

- Đọc tuần tự : 1900 MB/s

- Ghi tuần tự : 650 MB/s

- NAND Flash : TLC 3D

- Dung lượng : 250GB
- Giao diện : M.2 PCIe NVME x4
- Đọc/ghi ngẫu nhiên: 100/80k IOPS
- Đọc tuần tự : 2100 MB/s
- Ghi tuần tự : 1300 MB/s
- NAND Flash : TLC 3D

- Model: Samsung 860 Pro

- Kích thước 2.5"

- Chuẩn giao tiếp: SATA III 

- Tốc độ ghi/ đọc tối đa:  530MB/s - 560MB/s

- MLC NAND

- Chỉ số IOPS Up to 100K/90K

- Dung lượng: 500GB
- Kích thước: M.2
- Kết nối: M.2 NVMe
- NAND: 3D-NAND
- Tốc độ đọc / ghi (tối đa): 3470MB/s / 2600MB/s

- Dung lượng: 250GB
- Kích thước: M.2
- Kết nối: M.2 NVMe
- NAND: 3D-NAND
- Tốc độ đọc / ghi (tối đa): 3100MB/s / 1600MB/s

Dung lượng : 250GB

Random 4k: 90.000 IOPS

Đọc tuần tự : 563 MB/s

Ghi tuần tự : 515 MB/s

NAND Flash : Micron 3D-NAND 64 Layer Technology

Dung lượng : 120 GB

Đọc/Ghi ngẫu nhiên : 55k/80k IOPS

Đọc tuần tự : 560 MB/s

Ghi tuần tự : 510 MB/s

NAND Flash : TLC 3D 32-layer Micron 384Gbit